| 型号： | DMG6602SVT-7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| DMG6602SVT-7 PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A，2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 3.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.12W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | TSOT-23-6 |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | DMG6602SVT-7DIDKR |